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BSS225H6327XTSA1  与  BSS225 H6327  区别

型号 BSS225H6327XTSA1 BSS225 H6327
唯样编号 A-BSS225H6327XTSA1 A-BSS225 H6327
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 1W(Ta) -
宽度 - 2.5mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 28Ω
上升时间 - 38ns
产品特性 车规 车规
Qg-栅极电荷 - 5.8nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 131pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 20V
正向跨导 - 最小值 - 50mS
封装/外壳 TO-243AA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.8nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 90mA
配置 - Single
长度 - 4.50mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 45 欧姆 @ 90mA,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
下降时间 - 41ns
高度 - 1.50mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 1W
典型关闭延迟时间 - 62ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 94uA -
通道数量 - 1Channel
系列 - BSS225
25°C时电流-连续漏极(Id) 90mA(Ta) -
漏源电压(Vdss) 600V -
典型接通延迟时间 - 14ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS225H6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

N 通道 TO-243AA -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 当前型号
BSS225H6327FTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS225 H6327_N 通道 TO-243AA -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
BSS225 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 600V 90mA(Ta) ±20V 1W(Ta) 45Ω@90mA,10V -55°C~150°C(TJ) PG-SOT89-4 车规

暂无价格 0 对比
BSS225 H6327 Infineon 小信号MOSFET

BSS225H6327FTSA1_600V 90mA 28Ω 20V 1W N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比

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